專利新聞

【專利】三星曝光高堆疊 HBM 結構創新專利，目標協助 HBM5 良率大幅提升 - 2026年06月30日

隨著高頻寬記憶體（HBM）邁向 HBM4E 與 HBM5 的高堆疊時代，韓國三星電子近日確認已申請一項全新的 HBM 封裝專利。該專利聚焦於重塑用來保護記憶體裸晶的「虛擬裸晶」結構，目的在解決晶片剝離、裂紋及翹曲等問題，進一步追求高堆疊 HBM 的結構與良率穩定性。

在 HBM 的標準架構中，多層記憶體裸晶會垂直堆疊於基礎裸晶之上，而最頂部則會放置虛擬裸晶，其主要作用是讓整體封裝高度符合規格，並提供關鍵的機械保護與散熱功能。然而，當堆疊層數突破 12 層甚至達到 16 層以上時，最頂部虛擬裸晶的可靠性便成為影響良率與長期穩定性的核心變數。數據顯示，HBM 由 8 層增加至 12 層堆疊時，良率通常會下滑 10% 至 20%。而若推進至 16 層，良率更可能大幅驟降至 40% 至 60% 的區間。因此，透過改善虛擬裸晶結構來對抗翹曲與熱膨脹差異，成為挽救良率的關鍵解方。(TechNews科技新報)...more

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